總之，晶振良好的溫度特性不僅可以極大減小晶振受溫度影響的漂移量，也可以實(shí)現(xiàn)晶振老化優(yōu)化2個數(shù)量級。同樣，一般在有空調(diào)的密閉環(huán)境下，24小時的環(huán)境溫度變化大約為±2度，5小時的環(huán)境溫度變化大約為1度。對于2B晶振cimake晶振6．完善的北斗和GPS信號的性能監(jiān)測，自動或手動選擇主用衛(wèi)星信號。7．自保持能力強(qiáng)，時鐘裝置收不到衛(wèi)星信號后，自守時能力優(yōu)于7*10-9cimake晶振

1)電壓范圍:用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V,0.3~3.0V,0~5V,0.5~4.5V等。2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3)極性:當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候,壓控極性為正極性,反之為負(fù)極性。。8．裝置具有多個物理隔離的相互的10/100M網(wǎng)口（每個端口具有的MAC地址），多個端口可以靈活的配置使用，可以用在不斷增長變化的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中；還可用于不同的子網(wǎng)或不同的物理隔離的網(wǎng)絡(luò)中。另外，還可用來作為NTP網(wǎng)管來使用，使兩個物理隔離的網(wǎng)絡(luò)共享時間服務(wù)器資源。3.壓控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一種可通過調(diào)整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器，主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調(diào)。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變?nèi)荻O管及晶體參數(shù)兩者的組合

cimake晶振影響時鐘保持指標(biāo)關(guān)鍵器件--晶振的重要指標(biāo)保持模式下的漂移=晶振的日老化+晶振日波動+晶振溫度漂移+電源特性漂移其中晶振日波動漂移是由于環(huán)境溫度在24小時存在大約±2度的變化導(dǎo)致晶振溫度補(bǔ)償超前或滯后帶來的頻率變化，主要取決于晶振的溫度特性。因此，晶體振蕩器類型被分析為可以以更低的成本被硅MEMS振蕩器完全替代。由于這一因素，預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)硅振蕩器市場將呈現(xiàn)正增長。在硅振蕩器中，時鐘源是自己提供的。硅振蕩器使用內(nèi)部RC時間常數(shù)，并且不依賴于機(jī)械諧振特性來驅(qū)動振蕩頻率。硅MEMS振蕩器在大多數(shù)頻率下均很容易獲得。而且，即使在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下，也可以在短時間內(nèi)進(jìn)行編程和使用?？紤]到所有這些因素，預(yù)計(jì)未來幾年對硅振蕩器的需求將會增長。但是，預(yù)計(jì)硅時鐘振蕩器將支持新特性，例如擴(kuò)頻功能，但尚未完全與陶瓷諧振器技術(shù)結(jié)合。陶瓷諧振器技術(shù)已經(jīng)得到充分發(fā)展并達(dá)到了技術(shù)極限，而硅時鐘振蕩器技術(shù)才剛剛起步，預(yù)計(jì)這將成為制約全球硅振蕩器市場增長的主要因素。

cimake晶振總結(jié)語：應(yīng)用恒溫晶振與臥槽線路的振蕩器能提供非常高的精度與溫度的高低系數(shù)，固產(chǎn)品在工作中能快速啟動3、時鐘信號走線長度盡可能短，線寬盡可能大，與其它印制線間距盡可能大，緊靠器件布局布線，必要時可以走內(nèi)層，以及用地線包圍；4、通過背板從外部引入時鐘信號時有特殊的設(shè)計(jì)要求，需要詳細(xì)參考相關(guān)的資料。此外還要做一些說明：，在使用石英晶體振蕩器時還需要考慮其自身的功耗cimake晶振，以及內(nèi)部的線路電容值所決定，與產(chǎn)品本身放大器功耗成正比，假如在線路中功耗電容值達(dá)到100PF左右的時候，產(chǎn)品自身要在5V的電壓下工作，相當(dāng)于1.8毫安的電流。