5G來了以后，也分了三種業(yè)務(wù)，一個是基本業(yè)務(wù)，就是剛才提到的三微秒那個需求。還有協(xié)同業(yè)務(wù)和新業(yè)務(wù)，需求有的會更高。聯(lián)通現(xiàn)在的方案應(yīng)該是屬于一種過渡的方案，因?yàn)樵?G時代的時候我們已經(jīng)把核心的時間服務(wù)器都買過了，4G的網(wǎng)絡(luò)還會在，通過核心接入逐條傳下去，滿足5G初期的1.5us是沒啥大問題。未來如果有窄波聚合的需求，聚合不是主網(wǎng)的聚合，只是部分區(qū)域的，針對部分區(qū)域可以用NTP時間服務(wù)器，現(xiàn)在新的雙頻接收技術(shù)，通過衛(wèi)星的兩個頻點(diǎn)去接收，這樣來算對流層更精確一些，恢復(fù)的時間更精準(zhǔn)一些。共視法目前有廠商在做設(shè)備，精度還是很高的，可以達(dá)到亞納秒級，但是應(yīng)用還有一些問題。

壓控晶振vctcxo溫補(bǔ)晶振，TCXO，普通的振蕩器內(nèi)置溫度曲線補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm壓控晶振vctcxo

。消耗電流一般小于幾十mA。是最常見的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見。恒溫晶振，OCXO，在特制的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可以達(dá)到+/-0.01ppm。消耗電流一般300mA~2A。主要應(yīng)用于衛(wèi)星，通訊基站等。壓控晶振vctcxo恒溫晶振是將石英晶體裝入一個保溫箱中，并將其溫度加溫到石英晶體溫度曲線高溫拐點(diǎn)溫度，使晶體始終工作在恒溫環(huán)境中壓控晶振vctcxo

因此對其進(jìn)行溫度補(bǔ)償時要采用具有非線性函數(shù)擬合能力的數(shù)學(xué)模型。然而由于OCXO恒溫晶振中一般采用SC切晶體,雖然其頻率一溫度變化曲線也是非線性的,但是其頻率一溫度穩(wěn)定度在寬溫度范圍內(nèi)較AT切晶體有很大改善,并且由于它將石英晶體、振蕩電路以及部分其它線路置于精密恒溫槽中,恒溫槽的工作溫度選擇在所用晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)處,因此OCXO恒溫晶振的頻率溫度系數(shù)非常小。。有些高端恒溫晶振還要加雙層恒溫槽，以達(dá)到更高的精度。溫補(bǔ)晶振是利用熱敏電阻搭成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，通過計算來補(bǔ)償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑，來實(shí)現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。

壓控晶振vctcxo而振蕩器也是可以分為插件和貼片。插件的可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的，又稱長方形或者14pin，半尺寸的又稱為正方形或者8pin壓控晶振vctcxo晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。。不過要注意的是，這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部核心IC的腳位數(shù)，振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來分，又可分為OSC（普通鐘振），TCXO（溫度補(bǔ)償），VCXO（壓控），OCXO（恒溫）等等。