另外晶振供電電源如果采取波動較小的LDO供電，且電源特性漂移相比日老化及溫度漂移要小很多，可以忽略。所以保持模式下漂移的主要影響因素=晶振的日老化+晶振溫度漂移兩種晶振指標(biāo)在時(shí)鐘板上的保持指標(biāo)第一種2B晶振：溫度穩(wěn)定度3E-9（-30~70℃）年老化3E-8日老化3E-10晶振定制所謂恒溫晶體振蕩器簡稱“恒溫晶振”，主要是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器晶振定制

溫度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-1012小時(shí)老化漂移=（3E-10/24）*12/100=0.02E-10所以保持指標(biāo)達(dá)到1.5μS的小時(shí)=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（0.3+0.015）=13.2H。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻"電橋"構(gòu)成的差動串聯(lián)放大器，來實(shí)現(xiàn)溫度控制。恒溫晶振具備低作用，快速啟動，低電壓工作，低電平驅(qū)動和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢。電源電壓一般為3.3V。許多TCXO和VCXO產(chǎn)品，電流損耗不超過2mA。石英晶體振蕩器的快速啟動技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。52.將恒溫晶振安裝在測試夾具上，并接上數(shù)字電流表和頻率計(jì)數(shù)器后，將其放入恒溫箱內(nèi)；53.設(shè)置恒溫箱的測試溫度范圍及測試溫度點(diǎn)，在此溫度范圍內(nèi)對恒溫晶振各探測點(diǎn)的溫度進(jìn)行采集，錄入計(jì)算機(jī)，同時(shí)記錄恒溫晶振在每個(gè)測試溫度點(diǎn)相應(yīng)的輸出頻率以及電流值。其中，所述步驟SI中，在恒溫晶振的上蓋上開孔，測試恒溫晶振內(nèi)部探測點(diǎn)的溫度探測線從該孔中穿過并做密封處理，其一端的電極粘接在恒溫晶振內(nèi)部的探測點(diǎn)上。其中，所述步驟SI中，恒溫晶振內(nèi)部選定的探測點(diǎn)包括晶體諧振器位置、功率管位置、熱敏電阻位置、變?nèi)荻O管位置及振蕩電感位置，并且每個(gè)位置選2至3個(gè)點(diǎn)。其中，所述步驟SI中，恒溫晶振內(nèi)部選定的探測點(diǎn)的數(shù)目根據(jù)孔的大小和溫度探測線的線徑確定。其中，所述步驟S2中，設(shè)置恒溫箱的初始溫度為25°C，恒溫晶振在此條件下加電工作I小時(shí)后再開始測試。其中，所述步驟S3中，設(shè)置恒溫箱的測試溫度范圍為-40°c至85V，從_40°C開始測試，設(shè)定恒溫箱的溫變速率。其中，所述步驟S3中，在恒溫箱的溫度首次降為-40°c時(shí)保持30分鐘才做測試。其中，所述步驟S3中，測試溫度點(diǎn)依次為-4o°c、-3o°c、-2o°c、-1(rc、(rc、i(rc、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C和85°C;利用計(jì)算機(jī)記錄恒溫晶振在各測試溫度點(diǎn)的數(shù)據(jù)時(shí)，將恒溫晶振在_40°C保持30分鐘，在其它13個(gè)溫度點(diǎn)各保持15分鐘。其中，所述步驟S3中，連續(xù)在兩個(gè)_40°C至85°C測試循環(huán)內(nèi)對恒溫晶振進(jìn)行測試，并且重復(fù)測試時(shí)可以改變恒溫箱的溫變速率。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本發(fā)明基于電極探測采樣法，將溫度探測電極用高溫膠粘合在恒溫晶振內(nèi)部，在恒溫晶振內(nèi)部形成多個(gè)探測點(diǎn)，通過溫度數(shù)據(jù)采集卡讀取各個(gè)探測點(diǎn)的溫度，并根據(jù)需要對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析、處理，確定最佳的晶體諧振器位置、功率管位置、熱敏電阻位置、變?nèi)荻O管位置、振蕩電感位置，這樣得到一個(gè)最優(yōu)的恒溫槽結(jié)構(gòu)，使得晶體諧振器的周圍環(huán)境溫度變化量最小，恒溫晶振的溫度穩(wěn)定性最好；還可以根據(jù)測試到的數(shù)據(jù)，增加加溫度補(bǔ)償器件，使恒溫晶振的溫度穩(wěn)定度更好。通過上述過程指導(dǎo)恒溫晶振恒溫槽的設(shè)計(jì)工作。本發(fā)明為高穩(wěn)定度恒溫晶振的設(shè)計(jì)奠定了良好的基礎(chǔ)，使恒溫晶振的設(shè)計(jì)者可以節(jié)省大量的時(shí)間，極大縮短恒溫晶振的設(shè)計(jì)周期，保證設(shè)計(jì)質(zhì)量。并且具有操作簡單、靈敏度高、精度好、判定準(zhǔn)確可靠等特點(diǎn)，尤其適用于設(shè)計(jì)穩(wěn)定度較高指標(biāo)的恒溫晶振。

晶振定制1.AT切晶體在非恒溫的情況下，在寬溫度范圍內(nèi)（-40~+85）其頻率溫度變化要小于SC切的晶體，適合于溫補(bǔ)晶振如果是芯片指定的晶振引腳，如在某些微處理器中，常?？梢圆患樱?yàn)樾酒瑑?nèi)部已經(jīng)制作了，要仔細(xì)閱讀DATASHEET的有關(guān)說明。和晶振并聯(lián)的電阻作為負(fù)載，一般1M歐。也有和晶振串聯(lián)的電阻為諧振電阻。。問：晶振的參數(shù)里有配用的諧振電容值。比如說32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.這個(gè)值和實(shí)際電路中晶振上接的兩個(gè)電容值是什么關(guān)系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它內(nèi)部的電容是6pF的答：你所說的是晶振的負(fù)載電容值。指的是晶振交流電路中，參與振蕩的，與晶振串聯(lián)或并聯(lián)的電容值。晶振電路的頻率主要由晶振決定，但既然負(fù)載電容參與振蕩，必然會對頻率起微調(diào)作用的。。2.AT切晶體的頻率牽引率較大，適合于溫補(bǔ)晶振。3.良好設(shè)計(jì)的5次泛音的晶體比3次泛音的晶體Q值更高，相噪、老化、穩(wěn)定度都會更好，更適合做恒溫晶振。

晶振定制恒溫石英晶體振蕩器溫度特性試驗(yàn)的升溫速率是有標(biāo)準(zhǔn)的.簡要說明如下：一、環(huán)境試驗(yàn)箱溫度應(yīng)按階梯（或按規(guī)定速率直線）式升高晶振定制4.恒溫晶振OvenControlledCrystalOscillator（OCXO）：采用精密控溫，使電路元件及晶體工作在晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)的溫度上。中精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度為10-7~10-8，高精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度在10-9量級以上。主要用作頻率源或標(biāo)準(zhǔn)信號,并在每次溫度調(diào)整時(shí)都要有規(guī)定的穩(wěn)定時(shí)間．注：在某些應(yīng)用場合．可能要求測定從最低溫度升到最高溫度與從最高溫度降劐最低溫度之間頻率溫度特性的再現(xiàn)性.