瞬時頻率為:相對頻率偏移為：式中x(t)=為時間偏差,由式(2-7)可以得到：瞬時頻率的常用公式為:式中f(t)為t時刻的瞬時頻率值,fO為t=0時刻的頻率值,fr為標稱頻率,D(t)為頻率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推導出:壓控晶振vctcxo晶振的工作原理一、什么是晶振？晶振是石英振蕩器的簡稱，英文名為Crystal，它是時鐘電路中最重要的部件壓控晶振vctcxo

因此，晶體振蕩器類型被分析為可以以更低的成本被硅MEMS振蕩器完全替代。由于這一因素，預計在預測期內(nèi)硅振蕩器市場將呈現(xiàn)正增長。在硅振蕩器中，時鐘源是自己提供的。硅振蕩器使用內(nèi)部RC時間常數(shù)，并且不依賴于機械諧振特性來驅(qū)動振蕩頻率。硅MEMS振蕩器在大多數(shù)頻率下均很容易獲得。而且，即使在非標準頻率下，也可以在短時間內(nèi)進行編程和使用?？紤]到所有這些因素，預計未來幾年對硅振蕩器的需求將會增長。但是，預計硅時鐘振蕩器將支持新特性，例如擴頻功能，但尚未完全與陶瓷諧振器技術結合。陶瓷諧振器技術已經(jīng)得到充分發(fā)展并達到了技術極限，而硅時鐘振蕩器技術才剛剛起步，預計這將成為制約全球硅振蕩器市場增長的主要因素。，它的主要作用是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準頻率，它就像個標尺，工作頻率不穩(wěn)定會造成相關設備工作頻率不穩(wěn)定，自然容易出現(xiàn)問題。壓控晶振vctcxo1、每一個單獨指標必須單獨測試，不能同時測試幾種指標，也不能同時測試幾只晶振。2、測試時要嚴格按照標準的測試電路和測試環(huán)境進行測試壓控晶振vctcxo

1.晶體A的電路沒有恒溫，熱噪聲較低。2.晶體A是三次泛音晶體，雖然Q值低，但諧振阻抗RS也低，因此主振級輸出幅度較大，信噪比提高。再來看近端10HZ處的相噪，幾種晶體沒有太大的區(qū)別，恒溫和非恒溫也沒有什么區(qū)別。一般上理論認為，晶振的相位噪聲，近端取決于晶體，遠端取決于電路。近端相位噪聲正比于晶體Q值的4次方。這點在我的試驗中沒有得到體現(xiàn)。我認為可能的原因在于：。3、在沒有相當?shù)臏y試設備和測試人員的情況下，不建議客戶自行測試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測試設備的等級應至少比晶振指標高一個數(shù)量級。

壓控晶振vctcxo恒溫晶振：OCXO，在特制的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可以達到+/-0.01ppm。消耗電流一般300mA~2A。主要應用于衛(wèi)星，通訊基站等壓控晶振vctcxo3、時鐘信號走線長度盡可能短，線寬盡可能大，與其它印制線間距盡可能大，緊靠器件布局布線，必要時可以走內(nèi)層，以及用地線包圍；4、通過背板從外部引入時鐘信號時有特殊的設計要求，需要詳細參考相關的資料。此外還要做一些說明：。5、溫補晶振可以替換恒溫晶振嗎？南京南山半導體代理的EPSON（愛普生）TG-5500CA系列溫補晶振頻率溫度特性達到恒溫槽控制晶體振蕩器（OCXO）領域的高精度（±0.1×10-6），能夠?qū)夌姷拈L期老化特性（20年為±3.0×10-6），且尺寸小，耗電少。可以替代普通的恒溫晶振使用。