晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木?。功耗選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。cimake晶振恒溫晶體振蕩器簡稱恒溫晶振，英文簡稱為OCXO（OvenControlledCrystalOscillator），是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定

壓控振蕩器產(chǎn)生周期性的輸出信號(hào)，如果其輸出頻率低于參考信號(hào)的頻率，鑒相器通過電荷放大器改變控制電壓使壓控振蕩器就的輸出頻率提高。如果壓控振蕩器的輸出頻率高于參考信號(hào)的頻率，鑒相器通過電荷放大器改變控制電壓使壓控振蕩器就的輸出頻率降低。低通濾波器的作用是平滑電荷放大器的輸出，這樣在鑒相器進(jìn)行微小調(diào)整的時(shí)候，系統(tǒng)趨向一個(gè)穩(wěn)態(tài)。負(fù)載電容及反饋電阻可能有些初學(xué)者會(huì)對(duì)晶振的頻率感到奇怪，12M、24M之類的晶振較好理解，選用如11.0592MHZ的晶振給人一種奇怪的感覺，這個(gè)問題解釋起來比較麻煩，如果初學(xué)者在練習(xí)串口編程的時(shí)候就會(huì)對(duì)此有所理解，這種晶振主要是可以方便和精確的設(shè)計(jì)串口或其它異步通訊時(shí)的波特率。，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器cimake晶振。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋“構(gòu)成的差動(dòng)串聯(lián)放大器，來實(shí)現(xiàn)溫度控制。R5將運(yùn)放輸出的電壓轉(zhuǎn)化為晶體管基極的電流，不可過大或過小。Q3、R6組成限流電路，限制加熱電路的最大電流。最大電流估算為0.6V/1.2歐姆=0.5A。超過此電流時(shí)，R6上的壓降使Q3導(dǎo)通，從而泄放掉過多的基極電流，使晶體管的電流不再升高。此限流電路較簡單，但最大電流會(huì)隨著Q3晶體管的溫度變化。

cimake晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器4、恒溫晶振與溫補(bǔ)晶振的區(qū)別溫補(bǔ)晶振：TCXO，普通的振蕩器內(nèi)置溫度曲線補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm可以實(shí)現(xiàn)。消耗電流一般小于幾十mA。是最常見的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見。更好的如EPSON(愛普生)TG-5500CA系列溫補(bǔ)晶振已經(jīng)實(shí)現(xiàn)0.1ppm的高精度和20年的高穩(wěn)定性。。溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。

cimake晶振本文小結(jié)從上述計(jì)算結(jié)果可以看出不論是否采取時(shí)鐘優(yōu)化手段，晶振良好的溫度穩(wěn)定度對(duì)時(shí)鐘保持指標(biāo)其到至關(guān)重要的作用cimake晶振冷壓焊晶體振蕩器電路這是一種常規(guī)的恒溫晶體振蕩器。優(yōu)點(diǎn)是加熱相對(duì)簡單,能保證小尺寸情況下頻率一溫度穩(wěn)定性達(dá)最高;缺點(diǎn)是體積大、功耗高、預(yù)熱時(shí)間長機(jī)械費(fèi)用高。圖11是一個(gè)簡單的恒溫晶振的電路它省去了熱控制放大器,PTC熱敏電阻既作溫度傳感器又作加熱元件。。此外，晶振的溫度特性取決于晶振的控溫/補(bǔ)償精度，所占晶振的成本大約10%,基本上取決于晶振廠家的設(shè)計(jì)水準(zhǔn)。