2[頻域表征]⑴?單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫(xiě)作￡（f）單位為dB/Hz。⑵?頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。溫補(bǔ)晶振所謂恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱“恒溫晶振”，主要是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器溫補(bǔ)晶振

系列實(shí)驗(yàn)表明,估計(jì)性能對(duì)d0、d和M的取值不是很敏感,建議取值為d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加權(quán)對(duì)數(shù)函數(shù)模型的缺點(diǎn)是計(jì)算比較復(fù)雜。2.2.4晶振的頻率溫度特性除過(guò)老化的影響,溫度也是影響頻率變化的主要因素,而不同切型的石英晶振晶體的頻率一溫度特性是不一樣的,一般AT切基頻晶體的頻率一溫度變化關(guān)系都是三次曲線,存在若干個(gè)零溫度系數(shù)點(diǎn),如圖2.6所示。。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻"電橋"構(gòu)成的差動(dòng)串聯(lián)放大器，來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度控制。恒溫晶振具備低作用，快速啟動(dòng)，低電壓工作，低電平驅(qū)動(dòng)和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢(shì)。電源電壓一般為3.3V。許多TCXO和VCXO產(chǎn)品，電流損耗不超過(guò)2mA。石英晶體振蕩器的快速啟動(dòng)技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。恒溫晶振經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)后的頻率偏差小于0．01Hz，在1PPS準(zhǔn)確輸出時(shí)，累加1PPS具有的100ns誤差，授時(shí)模塊輸出的時(shí)間信息誤差小于105ns。當(dāng)GPS接收機(jī)未正常工作時(shí)，由于恒溫晶振前期經(jīng)過(guò)頻率校準(zhǔn)和自身較高的穩(wěn)定度，在一定時(shí)間內(nèi)依然可以保證高精度的授時(shí)功能。

溫補(bǔ)晶振恒溫晶振的加熱恒溫電路，目前廣泛使用的是模擬直流放大式，如下圖所示，以運(yùn)放LM358為控制核心輸出幅度都在9dBm左右。測(cè)試相噪結(jié)果如下：要從理論上來(lái)解釋這個(gè)結(jié)果，有些困難甚至有些牽強(qiáng)。不過(guò)我還是嘗試一下。先看遠(yuǎn)端10KHz以外的相噪，晶體C最好，這或許是因?yàn)槭褂昧溯^高的電源電壓，因此輸出信噪比較好。晶體A與B相比，A的遠(yuǎn)端相噪較好，這可能是基于以下2點(diǎn)：。RT1、R1、R2、R3組成差分電橋，差分電壓經(jīng)運(yùn)放放大后控制晶體管的加熱電流。Q1、Q2組成達(dá)林頓復(fù)合管，提高電流放大倍數(shù)。主要功耗在Q2上。

溫補(bǔ)晶振4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的,但實(shí)際上總會(huì)有所偏差,這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度,通常用百分比表示溫補(bǔ)晶振2．2電路設(shè)計(jì)D／A芯片選用TI公司TLV5616，它是低功耗單片12位串行數(shù)模轉(zhuǎn)換器，分辨率為4096，該芯片采用三線制(SCLK、SYNC、DIN)串行接口，SCLK方波信號(hào)為下降沿時(shí)，TLV5616讀取DIN的電平信號(hào)，轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的電壓送往恒溫晶振，用于晶振的微調(diào)，晶振頻率調(diào)整硬件電路如圖4所示。。5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào),或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí),通常貼片晶振的振蕩器可以自己給出經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用,這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。