即：使用2B晶振在做算法優(yōu)化的前提下，時(shí)鐘可以保持13.2個(gè)小時(shí)漂移在1.5μS以內(nèi)。對于3E晶振（由于溫度特性過于差，導(dǎo)致老化優(yōu)化只能大約提升1個(gè)數(shù)量級(jí)）溫度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10tcxo晶振恒溫晶振得主要優(yōu)點(diǎn)是:由于采用了恒溫槽的技術(shù),頻率溫度特性會(huì)在所有類型晶振之中是最好得;由于電路設(shè)計(jì)很精密tcxo晶振

晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木?。功耗選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。,其短穩(wěn)與相位噪聲都會(huì)比較好.主要的缺點(diǎn)是需5分鐘左右得加熱時(shí)間才可以正常的工作.所以在測試恒溫晶振之時(shí)會(huì)需對其進(jìn)行開機(jī)5分鐘的測試,測試指標(biāo)包括了:即：使用3E晶振在不做算法優(yōu)化下，時(shí)鐘只能保持0.6個(gè)小時(shí)漂移在1.5μS以內(nèi)。做算法優(yōu)化算法優(yōu)化分為溫度特性優(yōu)化以及老化率優(yōu)化。晶振的溫度特性漂移速度以及漂移量取決于晶振所處的環(huán)境溫度點(diǎn)、環(huán)境的溫變速度、設(shè)備機(jī)箱的溫度傳遞速度以及晶體的遲滯特性，晶振頻率漂移與溫度變化的關(guān)系類似于一個(gè)加速阻尼振蕩，是個(gè)5次函數(shù)關(guān)系，而溫度傳感器對于溫度變化的響應(yīng)速度是非常快的，如要簡單依賴溫度傳感器對晶振的溫度特性做優(yōu)化，會(huì)帶來溫度補(bǔ)償超前或滯后，導(dǎo)致頻率晃動(dòng)加上，短穩(wěn)、抖動(dòng)指標(biāo)都將惡化，而且優(yōu)化系統(tǒng)很難預(yù)知其他溫度點(diǎn)晶振的漂移值。

tcxo晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器所有溫度探測線的另外一端均連接到一塊數(shù)據(jù)采集卡上，并對其序號(hào)進(jìn)行登記，記錄探測點(diǎn)位置和名稱，將兩塊數(shù)據(jù)采集卡插入數(shù)據(jù)采集器上，開啟數(shù)據(jù)采集器，確認(rèn)每個(gè)數(shù)據(jù)讀取的正確性；將數(shù)據(jù)采集器連接到計(jì)算機(jī)，通過計(jì)算機(jī)讀取各個(gè)數(shù)據(jù)探測點(diǎn)的溫度數(shù)據(jù)。S2.將恒溫晶振安裝在測試夾具上，并接上數(shù)字電流表和頻率計(jì)數(shù)器后，將其放入恒溫箱內(nèi)；并將這些設(shè)備都連接到計(jì)算機(jī)上，見圖1所示的測試方法示意圖。開啟恒溫箱、測試夾具、數(shù)字頻率計(jì)、數(shù)字電流表、溫度數(shù)據(jù)采集器以及計(jì)算機(jī)和相關(guān)軟件。。溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。

tcxo晶振3、輸出波形：有正弦波和方波兩種。4、?輸出幅度：在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下，晶振輸出的均方根值電壓tcxo晶振3、恒溫晶振（OCXO）恒溫晶振是一種至少能控制石英晶體元件溫度基本保持恒定的石英晶體振蕩器。它利用熱力學(xué)原理，把石英晶體或全部振蕩電路放置于恒溫器內(nèi)來改善頻率溫度特性的晶體振蕩器（有一般精密和高精密晶振之分）。。5、?頻率溫度特性：當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí)，晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對變化特性6、?壓控線性度：指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。