晶體振蕩器(SPXO),壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),數(shù)字溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(DCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),晶體濾波器(CrystalFilter).?①,SPXO是最簡單的晶體振蕩器,它是由晶體元件與振蕩電路按設(shè)計(jì)要求,集成裝配在PCB電路板上并用金屬外殼封裝而成的頻率器件.晶振恒溫晶振得主要優(yōu)點(diǎn)是:由于采用了恒溫槽的技術(shù),頻率溫度特性會(huì)在所有類型晶振之中是最好得;由于電路設(shè)計(jì)很精密晶振

假設(shè)晶振老化率為常數(shù),式(210)變?yōu)椋浩渲挟?dāng)|Bt|y(t)=C+ABt式(2-18)圖2.4給出了典型的老化率數(shù)學(xué)模型?？梢钥闯鍪⒕д竦睦匣士梢詾檎龜?shù)可以為負(fù)數(shù),也可能會(huì)產(chǎn)生圖中曲線y3(t)的情況。圖2.5為銣原子頻標(biāo)的老化曲線,由于測試曲線的后半段存在參考和被測之間因漂移方向相同的現(xiàn)象,從而導(dǎo)致漂移問題不是很明顯。,其短穩(wěn)與相位噪聲都會(huì)比較好.主要的缺點(diǎn)是需5分鐘左右得加熱時(shí)間才可以正常的工作.所以在測試恒溫晶振之時(shí)會(huì)需對(duì)其進(jìn)行開機(jī)5分鐘的測試,測試指標(biāo)包括了:簡而言之，頻率穩(wěn)定性是振蕩器的頻率與所需的頻率輸出相差多少。頻率漂移可能會(huì)基于多種因素而發(fā)生，包括溫度，外部振動(dòng)和重力。如果頻率漂移超出了應(yīng)用程序的要求，則可能會(huì)發(fā)生時(shí)序錯(cuò)誤或完全失去通信。對(duì)于關(guān)鍵應(yīng)用(例如精確的軍事和國防技術(shù))，頻率穩(wěn)定性以百萬分之一(ppm)表示，有時(shí)甚至以十億分之一(ppb)表示。

晶振2.溫補(bǔ)晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器7、頻譜純度：頻率穩(wěn)定度的一種頻域量度，它通常用信號(hào)邊帶的噪聲功率譜中每赫茲帶寬的噪聲功率相對(duì)于總信號(hào)功率的分貝數(shù)來表示；8）、諧波失真：用不希望的信號(hào)頻譜分量和有用信號(hào)頻率的諧波關(guān)系描述的非線形失真；。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí)，由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn)，因而獲行了廣泛應(yīng)用。

晶振3、輸出波形：有正弦波和方波兩種。4、輸出幅度：在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下，晶振輸出的均方根值電壓晶振晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木取９倪x擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。。5、頻率溫度特性：當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí)，晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對(duì)變化特性6、壓控線性度：指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。