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淺析溫補(bǔ)晶振指標(biāo)

發(fā)布時(shí)間:2020-06-17   點(diǎn)擊量:668

陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA至60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器,如MAX7375,工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。時(shí)鐘電路晶振與時(shí)鐘IC芯片主板時(shí)鐘芯片電路提供給CPU,主板芯片組和各級(jí)總線(CPU總線,AGP總線,PCI總線,PCIE總線等)和主板各個(gè)接口部分基本工作頻率,有了它,計(jì)算機(jī)才能在CPU控制下,按步就班,協(xié)調(diào)地完成各項(xiàng)功能工作:1.晶振的工作原理:主板時(shí)鐘芯片即分頻器的原始工作振蕩頻率,由石英晶體多諧振蕩器的諧振頻率來(lái)產(chǎn)生,晶振其實(shí)是一個(gè)頻率產(chǎn)生器,他主要把傳進(jìn)去的電壓轉(zhuǎn)化為頻率信號(hào)。提供給分頻率一個(gè)基準(zhǔn)的14.318MHZ的振蕩頻率,它是一個(gè)多諧振蕩器的正回饋環(huán)電路,也就是說(shuō)它把輸入作為輸出,把輸出作為輸入的回饋頻率,象這樣一個(gè)永無(wú)休止的循環(huán)自激過(guò)程。溫補(bǔ)晶振1、頻率準(zhǔn)確度:按規(guī)定條件要求,在基準(zhǔn)溫度下測(cè)試,晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的最大允許偏差

1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)石英晶振頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高,晶體成本上升越多。3)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)IEC標(biāo)準(zhǔn)定義:當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。注:,即(f-f0)/f0;2、頻率-溫度穩(wěn)定度:按規(guī)定條件要求溫補(bǔ)晶振,在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的最大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值,即±(fmax-fmin)/(fmax+fmin);溫補(bǔ)晶振2、恒溫晶體振蕩器專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)1)頻率準(zhǔn)確度:按規(guī)定條件要求,在基準(zhǔn)溫度下測(cè)試,晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的最大允許偏差溫補(bǔ)晶振

為了試驗(yàn)晶體的Q值與相位噪聲之間的關(guān)系,選擇了100M晶振的3種晶體進(jìn)行試驗(yàn)。3種晶體如下:A.AT切3次泛音,Q值約為50K(UM1封裝)。B.AT切5次泛音,Q值約為90K(UM1封裝)。C.SC切5次泛音,Q值約為130K(35U封裝)。,即(f-f0)/f0;2)頻率-溫度穩(wěn)定度:按規(guī)定條件要求,在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的最大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值,即±(fmax-fmin)/(fmax+fmin);

溫補(bǔ)晶振而振蕩器也是可以分為插件和貼片。插件的可以按大小和腳位來(lái)分。例如所謂全尺寸的,又稱(chēng)長(zhǎng)方形或者14pin,半尺寸的又稱(chēng)為正方形或者8pin溫補(bǔ)晶振幾點(diǎn)注意事項(xiàng):1、需要倍頻的DSP需要配置好PLL周邊配置電路,主要是隔離和濾波;2、20MHz以下的晶體晶振基本上都是基頻的器件,穩(wěn)定度好,20MHz以上的大多是諧波的(如3次諧波、5次諧波等等),穩(wěn)定度差,因此強(qiáng)烈建議使用低頻的器件,畢竟倍頻用的PLL電路需要的周邊配置主要是電容、電阻、電感,其穩(wěn)定度和價(jià)格方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于晶體晶振器件;。不過(guò)要注意的是,這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部核心IC的腳位數(shù),振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來(lái)分,又可分為OSC(普通鐘振),TCXO(溫度補(bǔ)償),VCXO(壓控),OCXO(恒溫)等等。
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