設(shè)計(jì)一個符合要求的恒溫槽和選擇一個性能良好的溫度控制電路對穩(wěn)定頻率起著舉足輕重的作用。因此一個高穩(wěn)定的晶體振蕩器,不但應(yīng)具有穩(wěn)定的振蕩電路,而且還必須有性能良好的恒溫箱來保證其頻率的穩(wěn)定,兩者缺一不可。隨著對晶體振蕩器穩(wěn)定度要求的逐步提高,對恒溫箱的控溫精度要求也越來越高,目前,頻率穩(wěn)定度在100~10量級的晶體振蕩器,其恒溫箱的溫度控制精度應(yīng)在0.001℃以內(nèi)。晶振恒溫晶振，全稱是恒溫晶體振蕩器，英文簡稱為OCXO。恒溫晶振是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定晶振

簡而言之，頻率穩(wěn)定性是振蕩器的頻率與所需的頻率輸出相差多少。頻率漂移可能會基于多種因素而發(fā)生，包括溫度，外部振動和重力。如果頻率漂移超出了應(yīng)用程序的要求，則可能會發(fā)生時(shí)序錯誤或完全失去通信。對于關(guān)鍵應(yīng)用(例如精確的軍事和國防技術(shù))，頻率穩(wěn)定性以百萬分之一(ppm)表示，有時(shí)甚至以十億分之一(ppb)表示。，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器。今天松季電子介紹關(guān)于恒溫晶振的調(diào)試需要注意四個方面。式中,y為初始相對頻率偏差。由式(2-8)和(2-10)可以得到:式中,x為初始時(shí)間偏差,也叫做同步誤差。一般性能比較好的石英晶振,日老化率近似為常數(shù),特別是對于OCXO晶振,在頻率保持模式下,我們只考慮老化對實(shí)際頻率的影響。很多晶振的老化指標(biāo)用的是年老化率,如±0.05ppm(PartperMillion),一般情況下我們可以近似得出日老化率,大概為年老化率的百分之一。

晶振負(fù)載電容可以在振蕩器電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。在下一個設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)中，您將看到一個負(fù)載電容重要性的示例，但現(xiàn)在，讓我們仔細(xì)研究一下負(fù)載電容本身石英晶片的切型大致可以分為AT切、BT切、CT切、DT切等，不同的切型，所對應(yīng)的頻率溫度曲線不一樣，可以采用AT切32.768KHZ鐘振來解決難題。音叉32.768KHZ晶體頻率溫度曲線為二次拋物線，隨著工作溫度偏離常溫25℃越遠(yuǎn)，溫漂也隨之變大，-10℃~60℃其溫漂達(dá)到將近50ppm，如按工業(yè)級-40℃~85℃計(jì)算，溫漂高達(dá)151ppm，難以適應(yīng)工業(yè)級工作溫度范圍的電子產(chǎn)品，對其進(jìn)行溫度補(bǔ)償也較為困難，因此，市面上針對32.768KHZ的TCXO很少，且價(jià)格極為昂貴。對于一般的消費(fèi)類電子行業(yè)，如需工業(yè)級-40℃~85℃，且溫度頻差控制在±30ppm以內(nèi)，使用普通音叉型32.768KHZ晶體，是無法滿足要求的。然而，如果能將晶片切型改為AT切的切型，那么工業(yè)級溫度頻差控制在±30ppm以內(nèi)將不成問題。。負(fù)載電容被描述為在電路中晶體端子兩端測量或計(jì)算的電容量。對于串聯(lián)電路，晶振電路的連接點(diǎn)之間沒有電容。因此，電路中沒有負(fù)載電容。并聯(lián)電路則是另一回事。要確定并聯(lián)電路中的負(fù)載電容(在設(shè)計(jì)考慮因素3中進(jìn)行了描述)，請使用以下便捷公式：

晶振晶振作為一個某產(chǎn)品內(nèi)部的被動元件，在生產(chǎn)、保存及使用的過程中，總會不輕易地出現(xiàn)一些小問題，對于不是晶振廠商的來說，無疑是一件非常燒腦的事情晶振晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)的7個主要注意事項(xiàng)1.串聯(lián)電路串聯(lián)電路晶體振蕩器使用設(shè)計(jì)為以其自然諧振頻率工作的晶體。對于這種類型的電路，在反饋回路中不需要電容器。串聯(lián)諧振振蕩器電路是相當(dāng)基本的，并且由于其元件數(shù)量少而通常被使用。串聯(lián)電路可以提供除通過晶體以外的反饋路徑。這意味著即使在晶體故障期間，電路也可能繼續(xù)以主觀頻率振蕩。。小揚(yáng)今天整理專業(yè)工程師總結(jié)出幾點(diǎn)晶振使用異常問題分析及解決方法，希望可以給大家提供相應(yīng)幫助!1、頻偏造成的使用異常異?，F(xiàn)象：色彩圖像不正常；音頻雜音，無數(shù)據(jù)傳輸，距離短，遙控?zé)o反應(yīng)。