8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高恒溫晶振頻率穩(wěn)定度的方法，其特征在于:所述步驟S3中，測(cè)試溫度點(diǎn)依次為-40O、-30O、-20O、-10O、OO、10O、20V、30O、40V、50O、60°C、70°C、8(rC和85°C;利用計(jì)算機(jī)記錄恒溫晶振在各測(cè)試溫度點(diǎn)的數(shù)據(jù)時(shí)，將恒溫晶振在_40°C保持30分鐘，在其它13個(gè)溫度點(diǎn)各保持15分鐘。

壓控晶振vctcxo產(chǎn)品型號(hào)：OCXO(恒溫晶體振蕩器)輸出類型：HCMOS工作電壓：3.3V/5V晶體切割：SC-Cut頻率范圍：5MHz~40MHz產(chǎn)品尺寸：25.4×25.4×12.7mm應(yīng)用范圍：通信基站、測(cè)量儀器、測(cè)試儀器、移動(dòng)通信、航天、航海、石油勘探、合成器、數(shù)字切換、時(shí)鐘電路、衛(wèi)星通信、工業(yè)設(shè)備、GPS實(shí)時(shí)鐘等電子產(chǎn)品及應(yīng)用上。壓控晶振vctcxo

問：我發(fā)現(xiàn)在使用晶振時(shí)會(huì)和它并一個(gè)電阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，請(qǐng)問這個(gè)電阻有什么用？可以不用嗎？我有看到過不用的！不理解~答：這個(gè)電阻是反饋電阻，是為了保證反相器輸入端的工作點(diǎn)電壓在VDD/2，這樣在振蕩信號(hào)反饋在輸入端時(shí)，能保證反相器工作在適當(dāng)?shù)墓ぷ鲄^(qū)。雖然你去掉該電阻時(shí)，振蕩電路仍工作了。但是如果從示波器看振蕩波形就會(huì)不一致了，而且可能會(huì)造成振蕩電路因工作點(diǎn)不合適而停振。所以千萬不要省略此電阻。這個(gè)電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū)，以獲得增益，在飽和區(qū)是沒有增益的，而沒有增益是無法振蕩的。如果用芯片中的反相器來作振蕩，必須外接這個(gè)電阻，對(duì)于CMOS而言可以是1M以上，對(duì)于TTL則比較復(fù)雜，視不同類型（S,LS…）而定。

壓控晶振vctcxo恒溫晶振的加熱恒溫電路，目前廣泛使用的是模擬直流放大式，如下圖所示，以運(yùn)放LM358為控制核心2．2電路設(shè)計(jì)D／A芯片選用TI公司TLV5616，它是低功耗單片12位串行數(shù)模轉(zhuǎn)換器，分辨率為4096，該芯片采用三線制(SCLK、SYNC、DIN)串行接口，SCLK方波信號(hào)為下降沿時(shí)，TLV5616讀取DIN的電平信號(hào)，轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的電壓送往恒溫晶振，用于晶振的微調(diào)，晶振頻率調(diào)整硬件電路如圖4所示。。RT1、R1、R2、R3組成差分電橋，差分電壓經(jīng)運(yùn)放放大后控制晶體管的加熱電流。Q1、Q2組成達(dá)林頓復(fù)合管，提高電流放大倍數(shù)。主要功耗在Q2上。

壓控晶振vctcxo圖1是本發(fā)明的測(cè)試方法示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明壓控晶振vctcxo5、穩(wěn)定時(shí)間：振蕩器從初始加電到穩(wěn)定工作在規(guī)定極限值所需要的時(shí)間；6、相位噪聲：是指信號(hào)功率與噪聲功率的比率（C/N），是表征頻率顫抖的技術(shù)指標(biāo)。在對(duì)預(yù)期信號(hào)既定補(bǔ)償處，以1Hz帶寬為單位來測(cè)量相位噪聲；。材料準(zhǔn)備:Cl)實(shí)驗(yàn)用恒溫晶振，上蓋帶孔；(2)恒溫晶振測(cè)試夾具，測(cè)試時(shí)恒溫晶振加電測(cè)試；(3)數(shù)字頻率計(jì)數(shù)和數(shù)字電流表；