設(shè)計(jì)一個(gè)符合要求的恒溫槽和選擇一個(gè)性能良好的溫度控制電路對穩(wěn)定頻率起著舉足輕重的作用。因此一個(gè)高穩(wěn)定的晶體振蕩器,不但應(yīng)具有穩(wěn)定的振蕩電路,而且還必須有性能良好的恒溫箱來保證其頻率的穩(wěn)定,兩者缺一不可。隨著對晶體振蕩器穩(wěn)定度要求的逐步提高,對恒溫箱的控溫精度要求也越來越高,目前,頻率穩(wěn)定度在100~10量級的晶體振蕩器,其恒溫箱的溫度控制精度應(yīng)在0.001℃以內(nèi)。晶振定制恒溫晶振得主要優(yōu)點(diǎn)是:由于采用了恒溫槽的技術(shù),頻率溫度特性會在所有類型晶振之中是最好得;由于電路設(shè)計(jì)很精密晶振定制

7、頻譜純度：頻率穩(wěn)定度的一種頻域量度，它通常用信號邊帶的噪聲功率譜中每赫茲帶寬的噪聲功率相對于總信號功率的分貝數(shù)來表示；8）、諧波失真：用不希望的信號頻譜分量和有用信號頻率的諧波關(guān)系描述的非線形失真；,其短穩(wěn)與相位噪聲都會比較好.主要的缺點(diǎn)是需5分鐘左右得加熱時(shí)間才可以正常的工作.所以在測試恒溫晶振之時(shí)會需對其進(jìn)行開機(jī)5分鐘的測試,測試指標(biāo)包括了:晶振定制2.溫補(bǔ)晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器晶振定制

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高恒溫晶振頻率穩(wěn)定度的方法，其特征在于:所述步驟S3中，測試溫度點(diǎn)依次為-40O、-30O、-20O、-10O、OO、10O、20V、30O、40V、50O、60°C、70°C、8(rC和85°C;利用計(jì)算機(jī)記錄恒溫晶振在各測試溫度點(diǎn)的數(shù)據(jù)時(shí)，將恒溫晶振在_40°C保持30分鐘，在其它13個(gè)溫度點(diǎn)各保持15分鐘。。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級，由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn)，因而獲行了廣泛應(yīng)用。

晶振定制當(dāng)恒溫槽的工作溫度波動被控制在很小范圍內(nèi)時(shí),如優(yōu)于百分之一攝氏度時(shí),其頻率溫度變化也可以被限制在很小的范圍內(nèi),而且正是由于這種恒溫作用,其頻率溫度變化曲線非常接近于線性晶振定制如果是芯片指定的晶振引腳，如在某些微處理器中，常?？梢圆患?，因?yàn)樾酒瑑?nèi)部已經(jīng)制作了，要仔細(xì)閱讀DATASHEET的有關(guān)說明。和晶振并聯(lián)的電阻作為負(fù)載，一般1M歐。也有和晶振串聯(lián)的電阻為諧振電阻。。問：晶振的參數(shù)里有配用的諧振電容值。比如說32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.這個(gè)值和實(shí)際電路中晶振上接的兩個(gè)電容值是什么關(guān)系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它內(nèi)部的電容是6pF的答：你所說的是晶振的負(fù)載電容值。指的是晶振交流電路中，參與振蕩的，與晶振串聯(lián)或并聯(lián)的電容值。晶振電路的頻率主要由晶振決定，但既然負(fù)載電容參與振蕩，必然會對頻率起微調(diào)作用的。。所以對OCXO恒溫晶振的頻率溫度變化的預(yù)測可以采用線性數(shù)學(xué)模型,而Kalman濾波算法正是一種較好的線性模型估計(jì)器,因此用它來擬合OCXO恒溫晶振的頻率溫度特性曲線是合適的。