2[頻域表征]⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。

壓控晶振vctcxo溫補晶振，TCXO，普通的振蕩器內(nèi)置溫度曲線補償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm壓控晶振vctcxo

。消耗電流一般小于幾十mA。是最常見的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見。恒溫晶振，OCXO，在特制的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可以達到+/-0.01ppm。消耗電流一般300mA~2A。主要應用于衛(wèi)星，通訊基站等。瞬時頻率為:相對頻率偏移為：式中x(t)=為時間偏差,由式(2-7)可以得到：瞬時頻率的常用公式為:式中f(t)為t時刻的瞬時頻率值,fO為t=0時刻的頻率值,fr為標稱頻率,D(t)為頻率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推導出:

壓控晶振vctcxo負載電容可以在振蕩器電路設計中發(fā)揮關鍵作用。在下一個設計注意事項中，您將看到一個負載電容重要性的示例，但現(xiàn)在，讓我們仔細研究一下負載電容本身1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時石英晶振頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設置越高,晶體成本上升越多。3)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)IEC標準定義:當控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。注:。負載電容被描述為在電路中晶體端子兩端測量或計算的電容量。對于串聯(lián)電路，晶振電路的連接點之間沒有電容。因此，電路中沒有負載電容。并聯(lián)電路則是另一回事。要確定并聯(lián)電路中的負載電容(在設計考慮因素3中進行了描述)，請使用以下便捷公式：

壓控晶振vctcxo晶振作為一個某產(chǎn)品內(nèi)部的被動元件，在生產(chǎn)、保存及使用的過程中，總會不輕易地出現(xiàn)一些小問題，對于不是晶振廠商的來說，無疑是一件非常燒腦的事情壓控晶振vctcxo5)如果可能的話,應允許在研發(fā)階段就讓廠家參與到指標的確認工作中。恒溫晶振、溫補晶振主要技術指標定義的IEC標準1)標稱頻率(Nominalfrequency)IEC標準定義:石英晶體振蕩器標明的工作頻率。。小揚今天整理專業(yè)工程師總結出幾點晶振使用異常問題分析及解決方法，希望可以給大家提供相應幫助!1、頻偏造成的使用異常異常現(xiàn)象：色彩圖像不正常；音頻雜音，無數(shù)據(jù)傳輸，距離短，遙控無反應。