三、概述微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；基于相移電路的時(shí)鐘源，如：RC（電阻、電容）振蕩器。硅振蕩器通常是完全集成的RC振蕩器，為了提高穩(wěn)定性，包含有時(shí)鐘源、匹配電阻和電容、溫度補(bǔ)償?shù)?。機(jī)械式諧振器與RC振蕩器的主要區(qū)別基于晶振與陶瓷諧振槽路（機(jī)械式）的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。相對(duì)而言，RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。圖1所示的電路能產(chǎn)生可靠的時(shí)鐘信號(hào)，但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇以及振蕩器電路布局的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。ocxo晶振引言：對(duì)時(shí)鐘同步的保持模式如何達(dá)到一個(gè)更高的性價(jià)比是通信設(shè)備廠商遇到的一個(gè)普遍難題，為了能更清楚地解釋這些問題，筆者撰文分析了各種不同等級(jí)的晶振產(chǎn)品對(duì)時(shí)鐘保持模式的影響ocxo晶振

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高恒溫晶振頻率穩(wěn)定度的方法，其特征在于:所述步驟SI中，在恒溫晶振的上蓋上開孔，測(cè)試恒溫晶振內(nèi)部探測(cè)點(diǎn)的溫度探測(cè)線從該孔中穿過并做密封處理，其一端的電極粘接在恒溫晶振內(nèi)部的探測(cè)點(diǎn)上。。TD-SCDMA系統(tǒng)時(shí)鐘指標(biāo)TD-SCDMA基站的時(shí)間同步需求描述見技術(shù)規(guī)范3GPPTR25.836,要求提供NodeB的物理層（碼、幀、時(shí)隙）同步，保證所有NodeB同時(shí)發(fā)送同時(shí)接收，相位精度為ocxo晶振1、每一個(gè)單獨(dú)指標(biāo)必須單獨(dú)測(cè)試，不能同時(shí)測(cè)試幾種指標(biāo)，也不能同時(shí)測(cè)試幾只晶振。2、測(cè)試時(shí)要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電路和測(cè)試環(huán)境進(jìn)行測(cè)試ocxo晶振

瞬時(shí)頻率為:相對(duì)頻率偏移為：式中x(t)=為時(shí)間偏差,由式(2-7)可以得到：瞬時(shí)頻率的常用公式為:式中f(t)為t時(shí)刻的瞬時(shí)頻率值,fO為t=0時(shí)刻的頻率值,fr為標(biāo)稱頻率,D(t)為頻率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推導(dǎo)出:。3、在沒有相當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備和測(cè)試人員的情況下，不建議客戶自行測(cè)試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測(cè)試設(shè)備的等級(jí)應(yīng)至少比晶振指標(biāo)高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

ocxo晶振10、輸出功率：施加規(guī)定電壓和規(guī)定負(fù)載下，振蕩器消耗的電能，用電壓與消耗電流的積表示；11、輸出電壓（正弦波）：施加規(guī)定的電壓和負(fù)載ocxo晶振電路的基本結(jié)構(gòu)相同，但有一些變化。晶體A沒有加恒溫電路，電源供電為5V,主振級(jí)使用4V的穩(wěn)壓電壓。晶體B恒溫到70度附近，電源供電為5V,主振級(jí)使用4V的穩(wěn)壓電壓。晶體C恒溫到90度附近，電源供電為12V,主振級(jí)使用8V的穩(wěn)壓電壓。，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定后，用RF表測(cè)得的有效值或用示波器測(cè)量電壓峰-峰值后換算的有效值。