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選擇晶振的功耗要考慮哪些
發(fā)布時間：2016-12-15 點擊量：2071
選擇晶振的功耗要考慮哪些？分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。
陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。
相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA至60mA。
硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。
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