一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級，而恒溫晶振可達(dá)到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。想達(dá)到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達(dá)-9以上量級甚至需要一天。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)，你的晶振還沒正常工作怎么用？無論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無非就是個信號源，為你的設(shè)備提供一個時間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。

溫補(bǔ)晶振恒溫晶體振蕩器具有很大的頻率輸出穩(wěn)定性，恒溫槽能使晶振的溫度保持恒定溫補(bǔ)晶振

，使得外部溫度的變化對震蕩器的頻率輸出變化削減到最小。從中我們可以看出，恒溫晶振能在很極端的條件下使用。第二種3E晶振：溫度穩(wěn)定度5E-8（-30~70℃）年老化1E-7日老化1E-9不做算法優(yōu)化一般在有空調(diào)的密閉環(huán)境下，24小時的環(huán)境溫度變化大約為±2度，5小時的環(huán)境溫度變化大約為1度。對于2B晶振溫度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-10

溫補(bǔ)晶振不存在哪種產(chǎn)品好哪種產(chǎn)品不好，主要是看需要。性能高的產(chǎn)品價格必然貴，對使用的需求也高問：我發(fā)現(xiàn)在使用晶振時會和它并一個電阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，請問這個電阻有什么用？可以不用嗎？我有看到過不用的！不理解~答：這個電阻是反饋電阻，是為了保證反相器輸入端的工作點電壓在VDD/2，這樣在振蕩信號反饋在輸入端時，能保證反相器工作在適當(dāng)?shù)墓ぷ鲄^(qū)。雖然你去掉該電阻時，振蕩電路仍工作了。但是如果從示波器看振蕩波形就會不一致了，而且可能會造成振蕩電路因工作點不合適而停振。所以千萬不要省略此電阻。這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū)，以獲得增益，在飽和區(qū)是沒有增益的，而沒有增益是無法振蕩的。如果用芯片中的反相器來作振蕩，必須外接這個電阻，對于CMOS而言可以是1M以上，對于TTL則比較復(fù)雜，視不同類型（S,LS…）而定。。適用的才是最好的。理論上來講一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開機(jī)特性較好。

溫補(bǔ)晶振恒溫石英晶體振蕩器溫度特性試驗的升溫速率是有標(biāo)準(zhǔn)的.簡要說明如下：一、環(huán)境試驗箱溫度應(yīng)按階梯（或按規(guī)定速率直線）式升高,并在每次溫度調(diào)整時都要有規(guī)定的穩(wěn)定時間．注：在某些應(yīng)用場合．可能要求測定從最低溫度升到最高溫度與從最高溫度降劐最低溫度之間頻率溫度特性的再現(xiàn)性.二、在升溫和降溫時的特性差稱為重現(xiàn)誤差(relltoeerror)或滯后(hysteresis)三、在振蕩器輸入功率受強(qiáng)制氣流影響時溫補(bǔ)晶振3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高恒溫晶振頻率穩(wěn)定度的方法，其特征在于:所述步驟SI中，恒溫晶振內(nèi)部選定的探測點包括晶體諧振器位置、功率管位置、熱敏電阻位置、變?nèi)荻O管位置及振蕩電感位置，并且每個位置選2至3個點。,可使用擋風(fēng)箱來模擬靜態(tài)空氣條件．四、對于直線升溫試驗,除非在詳細(xì)規(guī)范另有說明,其溫度變化速率應(yīng)低0.5℃/min.五、對于不連續(xù)升溫試驗,如果沒有給出明確溫度值,其遞增梯階,應(yīng)不超過1.5℃并且在每調(diào)一次環(huán)境溫度都應(yīng)有適當(dāng)?shù)姆€(wěn)定時間．六、除非詳細(xì)規(guī)范另有規(guī)定,振蕩器達(dá)到穩(wěn)定所需的時間總要超過溫度穩(wěn)定時間的二倍.