5小時(shí)老化漂移=（3E-10/24）*5=0.63E-10所以保持指標(biāo)達(dá)到1.5μS的小時(shí)=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（0.3+0.63）=4.5H即：使用2B晶振在不做算法優(yōu)化下，時(shí)鐘只能保持4.5個(gè)小時(shí)漂移在1.5μS以?xún)?nèi)。溫補(bǔ)晶振引言：對(duì)時(shí)鐘同步的保持模式如何達(dá)到一個(gè)更高的性?xún)r(jià)比是通信設(shè)備廠商遇到的一個(gè)普遍難題，為了能更清楚地解釋這些問(wèn)題，筆者撰文分析了各種不同等級(jí)的晶振產(chǎn)品對(duì)時(shí)鐘保持模式的影響溫補(bǔ)晶振

解了。后者就是通常所指鐘振。2、分類(lèi)。首先說(shuō)一下諧振器。諧振器一般分為插件（Dip）和貼片（SMD）。插件中又分為HC-49U、HC-49U/S、音叉型（圓柱）。HC-49U一般稱(chēng)49U，有些采購(gòu)俗稱(chēng)“高型”，而HC-49U/S一般稱(chēng)49S，俗稱(chēng)“矮型”。音叉型按照體積分可分為3*8，2*6，1*5，1*4等等。貼片型是按大小和腳位來(lái)分類(lèi)。例如7*5（0705）、6*3.5（0603），5*3.2（5032）等等。腳位有4pin和2pin之分。。TD-SCDMA系統(tǒng)時(shí)鐘指標(biāo)TD-SCDMA基站的時(shí)間同步需求描述見(jiàn)技術(shù)規(guī)范3GPPTR25.836,要求提供NodeB的物理層（碼、幀、時(shí)隙）同步，保證所有NodeB同時(shí)發(fā)送同時(shí)接收，相位精度為7、頻譜純度：頻率穩(wěn)定度的一種頻域量度，它通常用信號(hào)邊帶的噪聲功率譜中每赫茲帶寬的噪聲功率相對(duì)于總信號(hào)功率的分貝數(shù)來(lái)表示；8）、諧波失真：用不希望的信號(hào)頻譜分量和有用信號(hào)頻率的諧波關(guān)系描述的非線(xiàn)形失真；

溫補(bǔ)晶振負(fù)載電容可以在振蕩器電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。在下一個(gè)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)中，您將看到一個(gè)負(fù)載電容重要性的示例，但現(xiàn)在，讓我們仔細(xì)研究一下負(fù)載電容本身IEC標(biāo)準(zhǔn)定義:用某種可變?cè)拐袷幤黝l率能夠改變的頻率范圍。注:調(diào)整的目的:1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。調(diào)整的方式:。負(fù)載電容被描述為在電路中晶體端子兩端測(cè)量或計(jì)算的電容量。對(duì)于串聯(lián)電路，晶振電路的連接點(diǎn)之間沒(méi)有電容。因此，電路中沒(méi)有負(fù)載電容。并聯(lián)電路則是另一回事。要確定并聯(lián)電路中的負(fù)載電容(在設(shè)計(jì)考慮因素3中進(jìn)行了描述)，請(qǐng)使用以下便捷公式：

溫補(bǔ)晶振溫補(bǔ)晶振，TCXO，普通的振蕩器內(nèi)置溫度曲線(xiàn)補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm溫補(bǔ)晶振4)對(duì)不同廠家的產(chǎn)品,尤其是來(lái)自不同國(guó)家的產(chǎn)品,有一些指標(biāo)的測(cè)試方法不盡相同,應(yīng)提前了解各廠家的異同點(diǎn),統(tǒng)一意見(jiàn),以減少不必要的麻煩。5)對(duì)一些短期指標(biāo)如頻率精度,開(kāi)機(jī)特性等,應(yīng)多做幾次重復(fù)的測(cè)試,以減少測(cè)試結(jié)果的偶然性。。消耗電流一般小于幾十mA。是最常見(jiàn)的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見(jiàn)。恒溫晶振，OCXO，在特制的晶體周?chē)姓袷庪娐泛秃銣仉娐罚l率穩(wěn)定度可以達(dá)到+/-0.01ppm。消耗電流一般300mA~2A。主要應(yīng)用于衛(wèi)星，通訊基站等。