簡而言之，頻率穩(wěn)定性是振蕩器的頻率與所需的頻率輸出相差多少。頻率漂移可能會基于多種因素而發(fā)生，包括溫度，外部振動和重力。如果頻率漂移超出了應(yīng)用程序的要求，則可能會發(fā)生時序錯誤或完全失去通信。對于關(guān)鍵應(yīng)用(例如精確的軍事和國防技術(shù))，頻率穩(wěn)定性以百萬分之一(ppm)表示，有時甚至以十億分之一(ppb)表示。ocxo晶振作為恒溫晶振OCXO或溫補晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一個常用的頻率ocxo晶振

石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，它的基本結(jié)構(gòu)大致是從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。。從切型和振動模式來看，常用的有以下3種晶體：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一種通常用來制作溫補晶振TCXO,后2種用來制作恒溫晶振OCXO.這是因為：9）、再現(xiàn)性：振蕩器經(jīng)過規(guī)定的時間間隔，再加電一段時間后返回原來頻率的能力；10）、輸出功率：施加規(guī)定電壓和規(guī)定負(fù)載下，振蕩器消耗的電能，用電壓和消耗電流的積表示；11）、輸出電壓（正弦波）：施加規(guī)定的電壓和負(fù)載，在規(guī)定的時間內(nèi)達到穩(wěn)定后，用RF表測得的有效值或用示波器測量電壓峰-峰值后換算的有效值。

ocxo晶振影響時鐘保持指標(biāo)關(guān)鍵器件--晶振的重要指標(biāo)保持模式下的漂移=晶振的日老化+晶振日波動+晶振溫度漂移+電源特性漂移其中晶振日波動漂移是由于環(huán)境溫度在24小時存在大約±2度的變化導(dǎo)致晶振溫度補償超前或滯后帶來的頻率變化，主要取決于晶振的溫度特性。特點：加載恒溫槽內(nèi)，使石英晶體配調(diào)于零溫度系數(shù)點上，而不受外界溫度的影響，使振蕩器滿足特性指標(biāo)。頻率范圍：1～250MHz（中精度），2.5，5，10MHz（高精度）；頻率穩(wěn)定度：10-7～10-8（中精度），10-9～10-11（高精度）。

ocxo晶振4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的,但實際上總會有所偏差,這個偏差就是表征理想程度的壓控線性度,通常用百分比表示ocxo晶振晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木取９倪x擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。。5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號,或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時,通常貼片晶振的振蕩器可以自己給出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用,這個精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。